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晶体生长设备

CVT黑磷晶体生长设备

文字:[大][中][小] 2023/6/28     浏览次数:    

产品用途

用于黑磷单晶批量合成:

 

技术指标

工作温度:<800℃;

控温精度:±0.1℃×T%;

温场均匀性:±2℃;

单炉坩埚个数:30个;

工作压强:1.6MPa

支持工艺定制.

产品优势

外压辅助提高石英坩埚生长黑磷单晶的安全性,竖式生长提高黑磷单晶转换效率,多坩埚生长提高黑磷单晶产量。

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158-0053-6802
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