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晶体生长设备

竖直温梯冷凝炉

文字:[大][中][小] 2024/5/16     浏览次数:    

                                                            

设备名称

竖直温梯冷凝炉/VGF

设备型号

VGF-XXBD-C2200-

设备用途

用于生长Ⅱ-Ⅵ(ZnSeZnTeCdSeCdS)、Ⅲ-Ⅴ(GaAsInP)半导体晶体以及氟化物(MgF2SrF2CaF2LiFLaF3等)晶体

设备参数

工作温度

<2100

控温精度

±0.1℃×T%

温区长度

360mm+200mm

气氛环境

真空(5×10-3 Pa&Ar(<6.4MPa)

额定电压

AC220V/AC55V  50/60Hz

额定功率

12KW

控制系统

触摸屏/工控机, 数显一体化智能控制

设备配置

加热元件

硅钼棒&石墨&钨钼

温场结构

非标

温控仪表

EUROTHERM3504温控仪

真空系统

真空泵&扩散泵&分子泵

热电偶

B型铂铑热电偶&钨铼热电偶&红外测温仪

机械结构

非标

设备优势

成熟的温控系统和温场结构,保证较高的控温精度和较强的抗环境温度波动干扰能力

   


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