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2023-6-25真空炉的优点
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2023-6-25真空热处理炉的操作流程
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2023-6-25真空热处理炉进行安装和调试,具体要怎么做呢?
晶体生长设备
型号 |
XX-CGCz_R-400/650/800 |
XX-CGCz_I-400/650/800 |
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用途 |
用于生长YAG、GGG等氧化物晶体,YLF、LLF、KTF等氟化物晶体. |
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参数 |
工作温度 |
2200℃ 1700℃ |
2300℃ |
加热方式 |
感应,功率精度0.05% |
电阻,功率精度0.05% |
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电源频率 |
2.8-8KHz |
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气氛 |
保护气氛环境,真空度5×10-3 Pa,充压≤0.1MPa 保护气氛环境 |
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籽晶杆移动 |
0.1-90mm/h(慢速),600mm/min(快速);行程500mm |
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籽晶杆转速 |
0.1~30rpm,0.01rpm步长 |
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额定电压 |
AC380V/AC55V , 50/60Hz |
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额定功率 |
20-60KW 15KW |
20-60KW |
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优势 |
提拉法,又称为Czochralski法(Cz法)。该方法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化,在熔体表面接籽晶提拉熔体,在受控条件下,使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列,随籽晶往上旋转提拉生长出晶体。提拉法生长晶体包括下籽晶、缩颈、放肩、等径生长等环节。与Cz类似的晶体生长方法还有泡生法(Kyropoulos method,凯氏长晶法)、导模法(Edge-defined Film-fed Growth Method, EFG)等。可采用石墨、钨钼、铂金、铱金等材质的坩埚进行晶体生长。 |