单晶提拉炉

型号

XX-CGCz_R-400/650/800

XX-CGCz_I-400/650/800

用途

用于生长YAG、GGG等氧化物晶体，YLF、LLF、KTF等氟化物晶体.

参数

工作温度

2200℃

1700℃

2300℃

加热方式

感应，功率精度0.05%

电阻，功率精度0.05%

电源频率

2.8-8KHz

气氛

保护气氛环境，真空度5×10^-3 Pa，充压≤0.1MPa

保护气氛环境

籽晶杆移动

0.1-90mm/h(慢速)，600mm/min(快速)；行程500mm

籽晶杆转速

0.1～30rpm，0.01rpm步长

额定电压

AC380V/AC55V ， 50/60Hz

额定功率

20-60KW

15KW

20-60KW

优势

提拉法，又称为Czochralski法（Cz法）。该方法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随籽晶往上旋转提拉生长出晶体。提拉法生长晶体包括下籽晶、缩颈、放肩、等径生长等环节。与Cz类似的晶体生长方法还有泡生法（Kyropoulos method，凯氏长晶法）、导模法（Edge-defined Film-fed Growth Method, EFG）等。可采用石墨、钨钼、铂金、铱金等材质的坩埚进行晶体生长。