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晶体生长设备

单晶提拉炉

文字:[大][中][小] 2024/10/21     浏览次数:    

                                                        


型号

XX-CGCz_R-400/650/800

XX-CGCz_I-400/650/800

用途

用于生长YAGGGG等氧化物晶体,YLFLLFKTF等氟化物晶体.

参数

工作温度

2200

1700

2300

加热方式

感应,功率精度0.05%

电阻,功率精度0.05%

电源频率

2.8-8KHz

气氛

保护气氛环境,真空度5×10-3 Pa,充压≤0.1MPa

保护气氛环境

籽晶杆移动

0.1-90mm/h(慢速)600mm/min(快速);行程500mm

籽晶杆转速

0.130rpm0.01rpm步长

额定电压

AC380V/AC55V  50/60Hz

额定功率

20-60KW

15KW

20-60KW

优势

提拉法,又称为Czochralski法(Cz法)。该方法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化,在熔体表面接籽晶提拉熔体,在受控条件下,使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列,随籽晶往上旋转提拉生长出晶体。提拉法生长晶体包括下籽晶、缩颈、放肩、等径生长等环节。与Cz类似的晶体生长方法还有泡生法(Kyropoulos method,凯氏长晶法)、导模法(Edge-defined Film-fed Growth Method, EFG)等。可采用石墨、钨钼、铂金、铱金等材质的坩埚进行晶体生长。

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