晶体生长设备

区熔单晶炉/移动加热器法单晶炉

文字：[大][中][小] 2025/3/29 浏览次数：

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区熔单晶炉/移动加热器法单晶炉

晶体生长方法简介

区熔法（Zone Melting, ZM）也称移动加热器法（Traveling Heater Method， THM）。采用集中热源对坩埚内的原料或预制原料棒进行局部加热熔化；移动集中热源，使得熔区一侧原料熔化，另一侧凝固结晶，实现晶体生长。采用移动加热器法生长晶体时，可加入助溶剂降低熔点，也称为溶剂法；无坩埚，利用熔体的表面张力维持熔区形状实现晶体生长的方法，叫做浮区法（Floating Zone Method, FZM）。区熔法已成功用于生长出了CdTe、CZT等晶体。

设备主要技术参数

工位分类：水平区熔炉、竖直区熔炉；

工作温度：1100℃、1300℃、1700℃、2300℃；

加热方式：电阻&感应；

工作气氛：大气、真空、氩气等保护气氛；

支持工艺定制

p 设备优点

设备简单，高效节能；

程序简单，易于自动化生产；

可生长熔点较高的晶体。